Créditos: AnandTech

Novos chips DDR4 e LP DDR4X de 16GB em 10nm

A Micron anunciou nesta quinta, o início da produção em massa de memórias utilizando a nova litografia de terceira geração 1Z nm.

O novo processo de gravação também é conhecido como 1Z nm e trará as primeiras memórias com chips monolíticos de 16GB.

A terceira geração do processo de manufatura de memórias da Micron irá permitir incremento na densidade dos chips e no desempenho, além de trazer uma redução de até 40% no consumo quando comparado com dois chips de 8GB (na mesma velocidade). Chip de 8GB é o limite máximo de densidade com a utilização dos processos  atuais em 19,18 e 16nm.  Cada chip trará um ganho de 10% em eficiência  energética além da maior densidade.

O  processo vem acompanhado também de uma redução nos custos de manufatura e maior capacidade por pente de memória.

A fabricante não divulgou dados em relação as velocidades e temporizações, mas são esperados módulos de memória a partir de 32GB utilizando-se da nova tecnologia, podendo chegar em pentes com 64GB de face única ou até 128GB com face dupla, ou ainda o dobro disso caso sejam utilizados 8 chips por face, atingindo 256GB por pente de memória!

Em relação ao mercado mobile, as novas LPDDR4X ainda não foram reveladas, assim como suas datas de lançamentos.

O processo de manufatura 1Z nm provavelmente terá início na fábrica mais atual da Micron, localizada em Hiroshima no Japão. Mas pode ser expandido para a fábrica de Taiwan também.

Fonte: anandtech
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  • Redator: Roberto Sobral

    Roberto Sobral

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