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Litografia 3nm Gate-All-Around da Samsung entra em fase alpha versão 0.1

Litografia 3nm Gate-All-Around da Samsung entra em fase alpha versão 0.1





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A Samsung revelou que o seu processo de produção Gate-All-Around (GAA) de 3nm entrou na sua fase alpha – ou versão 0.1 – de desenvolvimento. Isso quer dizer que foram tomados os primeiros passos para a criação do kit de design de produto de chips – para ser usado em processadores, system-on-a-chip, memórias RAM e SSDs.

Conforme aponta o site Extreme Tech, a Samsung está planejando lançar uma série de litografias nos próximos anos, com passos de desenvolvimento planejados para 7nm, 6nm, 5nm e 4nm. Após isso, a arquitetura de 3nm chegará para implementar um novo e mais evoluído projeto de transistores.

Trata-se do GAA, que chega para substituir o FinFET que se tornou padrão da indústria de CPUs e GPUs desde a chegada dos processadores Intel em 22nm. Desde então, empresas como TSMC, Samsung e GlobalFoundries ofereceram designs FinFET com processos de produção de 16nm, 14nm, 10nm e 7nm.

Esse tipo de projeto traz estruturas parecidas com barbatanas verticais, evoluindo um design de canais que antes seriam bidimensional. A tecnologia FinFET permite aumentar a área de contato entre o canal do transistor e o gate.

A tecnologia Gate-All-Around busca levar esse conceito a um outro nível, como gate tendo contato quase pleno com o canal do transistor. A Samsung vai utilizar um design conhecido como GAA MBCFET (Multi-Bridge Channel Field Effect Transistor), que usa estruturas de nanochapas atravessadas no gate – o que resultaria num maior desempenho e maior escalabilidade, permitindo criar CPUs mais complexas.

Há uma outra maneira de criar um processo de produção do tipo Gate-All-Around, que é usando nanofios no lugar das nanochapas. Só que esse tipo de litografia é mais propícia para sistemas de baixo consumo energético, além de serem mais complicadas de se produzir.

 


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