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Samsung anuncia produção da 3ª geração de memória DRAM fabricado em 10 nanômetros class

Samsung anuncia produção da 3ª geração de memória DRAM fabricado em 10 nanômetros class





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A Samsung anunciou a produção do primeiro chip da terceira geração de memória DRAM DDR4 com 8GB fabricado em 10nm-class. O módulo voltado para o mercado de servidores corporativos devem ser lançados em 2020 para atender a demanda da próxima geração de computadores de alto desempenho de seus clientes de TI. 

No ano passado a empresa deu início a produção em massa das primeiras memórias DDR4 de 8GB voltado para notebooks gamer pertencentes a 2ª geração de memórias HBM2 (em 10 nanômetros-class). Com a produção das memórias DRAM a Samsung pretende dominar boa parte do mercado e expandir sua fabricação em 20%, comparada a versão de 1y-nm. 

"Nosso compromisso de romper os maiores desafios em tecnologia sempre nos levou a uma maior inovação. Estamos satisfeitos por ter lançado as bases para a produção estável de próxima geração de DRAM que garante o mais alto desempenho e eficiência energética. À medida que construímos nossa linha DRAM de 1z-nm, a Samsung tem como objetivo apoiar seus clientes globais na implantação de sistemas de ponta e permitir a proliferação do mercado de memória premium."

- Jung-bae. Lee - Vice-presidente executivo da Samsung

A chegada da memória DRAM DDR4 de 3ª geração de 10nm deverá abrir caminho para tecnologias futuras envolvendo DDR5, LPDDR5 e GDDR6, e sua chegada ao mercado vai consolidar a Samsung como uma das líderes no desenvolvimento de memórias premium em DRAM não só para clientes TI, mas também estando presente na produção de dispositivos móveis e computadores de alto desempenho.

A produção em massa do DRAM de 1z-nm começa no segundo semestre deste ano e deve estar disponível para atender a demanda de memória RAM em 2020. 


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