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Samsung apresenta memória eUFS 2.1 de 1TB para armazenamento em smartphones

Samsung apresenta memória eUFS 2.1 de 1TB para armazenamento em smartphones





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A Samsung anunciou o primeiro chip de memória eUFS 2.1 (embedded Universal Flash Storage) de 1TB para da indústria, que será usado em smartphones – e especula-se que aparecerá pela primeira vez no próximo topo de linha da empresa, o Galaxy S10+. A peça de hardware já entrou em fase de produção em massa e tem exatamente o mesmo tamanho da memória de 512GB da empresa (11,5 x 13mm), mas com o dobro da capacidade.

 

Para conseguir realizar isso, a Samsung precisou combinar 16 camadas de memória flash V-NAND de 5ª geração e um novo controlador que foi projetado à partir do zero. Com isso, foi possível criar uma interface de memória 20 vezes mais densa que o padrão de 64GB do mercado e com 10 vezes a velocidade de um cartão microSD padrão – nesse caso trazendo benefícios para aplicativos que utilizem dados de maneira intensa.

"O eUFS de 1TB deverá desempenhar um papel crítico em trazer uma experiência de usuário mais parecida com a de um notebook para a próxima geração de dispositivos móveis. Mais do que isso, a Samsung está comprometida em garantir a cadeia de comando mais confiável e com quantidades de produção mais adequada para suportar lançamentos pontuais de smartphones topo de linha que chegarão ao mercado e acelerar o crescimento do mercado global mobile".
- Cheol Choi, vice-presidente executivo de memórias da Samsung

O novo chip da Samsung ainda traz ganhos significativos de desempenho, trazendo velocidades de leitura sequencial de 1.000MB/s e de escrita de 260MB/s. Para comparação, a geração anterior (eUFS 2.1 de 512GB) tinha 860MB/s e 255MB/s.


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