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Samsung inicia produção em massa de memórias V-NAND de 5ª geração

Samsung inicia produção em massa de memórias V-NAND de 5ª geração





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A Samsung anunciou o início da produção em massa dos chips de memória V-NAND de 5ª geração. De acordo com a companhia, as novas peças chegam com as velocidades de transferência de dados mais rápidas disponíveis.

  

Os novos chips são os primeiros da indústria a utilizar a interface Toggle DDR 4.0, com velocidades de transferência de até 1,4 Gigabit por segundo (Gbps). Essa é uma melhoria de 40% em comparação com a geração anterior, que trazia 64 camadas de memória.

A empresa ainda destaca uma melhoria de 30% na latência de escrita, que agora atingiu a velocidade de 500μs. Ao mesmo tempo, as memórias V-NAND de 5ª geração da Samsung mantêm a mesma eficiência energética dos produtos anteriores, com a tensão de operação sendo reduzida de 1.8V para 1.2V.

Os novos chips de memória da Samsung trazem mais de 90 camadas de células, um recorde para a indústria hoje. Elas são empilhadas numa estrutura de pirâmide e são organizadas em mais de 85 bilhões de células "charge trap flash" (CTF).

"Os produtos e soluções V-NAND de 5ª geração da Samsung vão entregar a mais avançada NAND num mercado de memórias premium que cresce rapidamente. Em adição aos avanços de ponta que nós estamos anunciando hoje, nós estamos nos preparando para introduzir ofertas de 1Tb e quad-level cell (QLC) para nossa linha V-NAND que vão continuar a dirigir o ritmo das soluções de memória NAND de próxima geração através do mercado global".
- Kye Hyun Kyung, vice-presidente de produtos flash da Samsung


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